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CSD22204WT

功能描述：MOSFET P-CH 8V 9DSBGA

制造商：texas instruments

系列：NexFET??

包装：剪切带（CT）

零件状态：有效

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：8V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：9.9m? @ 2A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：24.6nC(4.5V)

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1130pF @ 4V

功率 - 最大值：1.7W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：9-UFBGA，DSBGA

供应商器件封装：9-DSBGA

标准包装：1

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